Η Samsung Electronics, światowy lider w zaawansowanej technologii pamięci, ogłosił masowa produkcja mobilnych DRAM o największej pojemności.
Η nowa mobilna pamięć DRAM to pierwsza 4X pod względem wielkości w branży 12 gigabajtów (GB), niski pobór mocy, podwójna prędkość transmisji danych (LPDDR4X) — zoptymalizowany pod kątem przyszłych smartfonów klasy premium. Dzięki większej pojemności niż większość ultracienkich notebooków, nowa mobilna pamięć DRAM pozwoli użytkownikom w pełni wykorzystać wszystkie funkcje smartfonów nowej generacji.
„Wraz z rozpoczęciem masowej produkcji nowego LPDDR4X, Samsung uzupełnia pełną linię zaawansowanych produktów pamięciowych, które rozszerzą nową erę smartfonów, w tym rozwiązania pamięci masowej od 12 GB mobilnej pamięci DRAM do 512 GB eUFS 3” – powiedział Sewon Chun, wiceprezes wykonawczy Prezes marketingu pamięci Samsung Electronics. „Ponadto dzięki LPDDR4X wzmacniamy naszą pozycję jako producenta najwyższej jakości pamięci mobilnych, aby skutecznie obsługiwać szybko rosnące zapotrzebowanie producentów smartfonów na całym świecie”.
Dzięki 12 GB mobilnej pamięci DRAM, producenci smartfonów mogą zmaksymalizować możliwości urządzeń z więcej niż pięcioma kamerami, coraz większym rozmiarem ekranu oraz sztuczną inteligencją (AI) i funkcjami 5G. Dzięki nowej 12 GB pamięci DRAM użytkownicy smartfonów mogą wykonywać wiele zadań jednocześnie i bezproblemowo, szybciej wyszukiwać, bez wysiłku nawigować między wieloma aplikacjami, na bardzo dużych ekranach o wyższej rozdzielczości. Ponadto jego smukła konstrukcja (tylko 1.1 mm) służy eleganckiemu, prostemu wzornictwu smartfonów.
Pojemność 12 GB została osiągnięta dzięki połączeniu sześciu (6) chipów LPDDR4X, każdy 16-gigabitowy, w oparciu o przetwarzanie drugiej generacji 10 nm (1 rok-nm), w jednym pakiecie, zwalniając więcej miejsca na baterię smartfona. Ponadto, wykorzystując technologię 1 roku nm firmy Samsung, nowa pamięć mobilna o pojemności 12 GB zapewnia transfer danych z szybkością do 34.1 GB na sekundę, jednocześnie redukując nieunikniony wzrost zużycia energii spowodowany zwiększeniem pojemności pamięci DRAM.
Od czasu wprowadzenia na rynek mobilnej pamięci DRAM 1 GB w 2011 roku, Samsung nadal przoduje w rozwoju rynku mobilnej pamięci DRAM, wprowadzając 6 GB mobilnej pamięci DRAM w 2015 r., 8 GB w 2016 r. oraz pierwsze 12 GB LPDDR4X. Z najnowocześniejszej linii produkcyjnej pamięci w Korei Samsung planuje ponad trzykrotnie zwiększyć podaż mobilnych pamięci DRAM 8 GB i 12 GB w oparciu o 1 rok nm, w drugiej połowie 2019 r., aby sprostać spodziewanemu wysokiemu popytowi.
Harmonogram produkcji Samsung Mobile DRAM: produkcja masowa
| Data | Pojemność | Mobilna pamięć DRAM |
| lut 2019 | 12GB | 1 rok-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| lipiec 2018 | 8GB | 1 rok-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| Kwiecień 2018 | 8 GB (rozwój) | 1x-nm 8 Gb LPDDR5, 6400 Mb/s |
| wrzesień 2016 | 8GB | 1x-nm 16 Gb LPDDR4X, 4266 Mb/s |
| sierpień 2015 | 6GB | 20nm (2z) 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s |
| grudzień 2014 | 4GB | 20nm (2z) 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s |
| wrzesień 2014 | 3GB | 20nm (2z) 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Listopad 2013 | 3GB | 2 lata-nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| lipiec 2013 | 3GB | 2 lata-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Kwiecień 2013 | 2GB | 2 lata-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| sierpień 2012 | 2GB | LPDDR30 4Gb klasy 3nm, 1600Mb/s |
| 2011 | 1 / 2GB | LPDDR30 4Gb klasy 2nm, 1066Mb/s |
| 2010 | 512MB | MDDR klasy 40nm 2Gb, 400Mb/s |
| 2009 | 256MB | MDDR klasy 50nm 1Gb, 400Mb/s |
ΜNie zapomnij dołączyć (zarejestrować się) na naszym forum, co można zrobić bardzo łatwo za pomocą następującego przycisku…
(Jeśli masz już konto na naszym forum, nie musisz klikać w link rejestracyjny)
Śledź nas na Telegramie!
